# Customs tariff code 3818.00.90.00: Other

> Customs tariff code 3818.00.90.00 covers Other. The third-country duty rate is 0 %, plus import VAT.

- Source: https://www.zolltarif-finder.de/en/customs-code/3818009000
- Reference data as at: 2026-07-01
- Customs code: 3818.00.90.00
- Third-country duty: 0 %
- Declarable: no

## Where this code sits in the tariff

- 38 MISCELLANEOUS CHEMICAL PRODUCTS
  - 3818 Chemical elements doped for use in electronics, in the form of discs, wafers or similar forms; chemical compounds doped for use in electronics
    - 3818.00 Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert
      - 3818.00.90 Other
        - 3818.00.90.00 Other

## Duty rates and preferences

| Origin | Rate | Basis |
| --- | --- | --- |
| Third-country duty | 0 % | MFN |
| Ceuta | 0 % | Tariff preference |
| Melilla | 0 % | Tariff preference |
| San Marino | 0 % | Customs Union Duty |
| Jordan | 0 % | Tariff preference |
| GSP-EBA (Special arrangement for the least-developed countries… | 0 % | Tariff preference |
| Moldova, Republic of | 0 % | Tariff preference |
| United Kingdom | 0 % | Tariff preference |
| OCTs (Overseas Countries and Territories) | 0 % | Tariff preference |
| Korea, Republic of (South Korea) | 0 % | Tariff preference |
| Kenya | 0 % | Tariff preference |
| Ivory Coast | 0 % | Tariff preference |
| Cameroon | 0 % | Tariff preference |

## Compliance regimes

- Dual-use (indicative correlation only, not a classification): 3B001j, 3C001, 3C006, 6C002, 6C004, 6C005, 3C001

## Binding tariff information for this code

- **DEBTI16059/21-1** (DE): Angaben des Antragstellers: Bei der Ware handelt es sich um n-dotierte Wafer aus Siliciumcarbid (SiC), welche u.a. in der Halbleiterindustrie verwendet werden sollen. Die Wafer werden aus zylinderförmigen Siliciumcarbidrohblöcken (sog. SiC Ingots) gefertigt. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert; andere.
- **DEBTI16058/21-1** (DE): Angaben des Antragstellers: Bei der Ware handelt es sich um n-dotierte, zylinderförmige Rohblöcke aus Siliciumcarbid (SiC), welche als Zwischenprodukt u.a. in der Halbleiterindustrie verwendet werden sollen. Die Blöcke werden aus sogenannten SiC Boules gefertigt. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert; andere.
- **DEBTI16054/21-1** (DE): Angaben: SiC-Boule, dotiert (n-Typ). Es handelt sich um ein Vorprodukt zur Fertigung eines Ingots bzw. Wafers. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert: andere.
- **DEBTI17180/20-1** (DE): Angaben des: Substrat für das epitaktische Wachstum von Halbleiterschichtstrukturen, die durch Photolitographie zu optoelektronischen Bauelementen, wie beispielsweise Infrarot-Lasern, weiterverarbeitet werden. Es handelt sich um Indium-Phosphid-Einkristall-Substrate (sog. Wafer), welche mit Eisen oder Silicium dotiert sind (Durchmesser: 50 - 100 mm; Dicke: 350 - 675 µm). Befund: Verschiedene Erzeugnisse der chemischen Industrie: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert: andere.
- **DE22284/15-1** (DE): Angaben: Es soll sich um mit Vanadium, Aluminium (p-type) oder Stickstoff (n-type) dotierte und nicht montierte Wafer (dünne Scheiben) aus Siliciumcarbid (SiC) handeln. Die Erzeugnisse können in verschiedenen Durchmessern (76,2 mm, 100,0 mm oder 150,0 mm) vorliegen und weisen Abflachungen (flats) an den Seiten auf. Die Wafer können Dicken von 350 µm, 368 µm und 500 µm aufweisen. Die Wafer sind aus künstlich hergestellten Einkristallen entlang bestimmter kristallographischer Achsen geschnitten. Die Erzeugnisse sollen für die Epitaxie von elektronischen Bauelementen verwendet werden. Es wurde kein Warenmuster zur Begutachtung vorgelegt. Es wurde ein Foto und eine Beschreibung der Ware vorgelegt. Befund: Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert; -andere.
- **DE1674/15-1** (DE): Angaben: Lithium-Tantalat-Scheiben-gelbschwarz, PyroFree; dunkle Scheiben (Wafer) aus mit Eisenionen dotiertem Lithiumtantalat (LiTaO3). Die 0,20 mm, 0,25 mm oder 0,35 mm starken, entlang bestimmter kristallographischer Achsen aus künstlich hergestellten Einkristallen geschnittenen Scheiben sind - abgesehen von einer Abflachung - kreisrund mit dem Durchmesser "4 Zoll" bzw. "6 Zoll" (entspricht ca. 102 mm bzw. 152 mm) und durch einen mehrstufigen Herstellungsprozess gefertigt. Dabei werden die ursprünglich gelben Scheiben u.a. einem speziellen Verfahren zur Erhöhung der elektrischen Oberflächenleitfähigkeit (sog. "PyroFree"-Ausstattung) unterworfen, was zur Dunkelfärbung der Oberfläche ohne Veränderung der Kristallstruktur oder der chemischen Zusammensetzung führt. Die Ware kann fotolithografisch zu passiven Elektronikbauteilen, sog. "Akustischen Oberflächenfiltern" (Surface Acoustic Wave (= SAW) -Filter), weiterverarbeitet werden. Warenmuster wurden nicht vorgelegt. Die Ware wurde an Hand von Fotos, Datenblättern und dem Herstellungsschema veranschaulicht. Befund: Chemische Verbindung, zur Verwendung in der Elektronik dotiert
- **DE14326/14-1** (DE): Angaben: Galliumarsenidsubstrat ohne Epitaxieschicht, dotiert mit Silizium, zur Herstellung von Halbleiterlasern; äußere Beschaffenheit: 0,45 mm starker Wafer mit 76 mm Durchmesser, poliert. Feststellungen: Chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, andere.
- **DE7593/16-1** (DE): Angaben des Antragstellers: Substrat für das epitaktische Wachstum von Halbleiterschichtstrukturen, die durch Photolitographie zu optoelektronischen Bauelementen, wie beispielsweise Infrarot-Lasern, weiterverarbeitet werden. Es handelt sich um Indium-Phosphid-Einkristall-Substrate, welche mit Eisen oder Schwefel dotiert sind (Durchmesser: 50 - 100 mm; Dicke: 350 - 675 µm). Ein Warenmuster wurde nicht vorgelegt. Gemäß den beiliegenden Datenblättern sind die Substrate auf der Oberfläche poliert. Befund: Es handelt sich um zur Verwendung in der Elektronik dotierte chemische Verbindungen im Sinne der Unterposition (KN) 3818 0090.

## Notes that govern this classification

### Pos. 3818

Erläuterungen zum Harmonisierten System (HS) Zu dieser Position gehören: 1) Chemische Elemente des Kapitels 28 (insbesondere Silicium und Selen), die z. B. mit Bor oder Phosphor in einem Verhältnis von 1 : 1 Million dotiert sind, vorausgesetzt, dass sie als Scheiben, Plättchen oder in ähnlichen Formen vorliegen. In rohen gezogenen Formen, als Zylinder oder Stäbe gehören sie zu Kapitel 28. 2) Chemische Verbindungen wie Cadmiumselenid und -sulfid, Indiumarsenid, denen im Hinblick auf ihre Verwendung in der Elektronik bestimmte Zusätze (z. B. Germaniumjodid) in einem Verhältnis von im allgemeinen wenigen Prozent zugefügt worden sind, wenn sie in Form von Zylindern, Stäben usw. oder in Scheiben, Plättchen oder in ähnliche Formen geschnitten vorliegen. Diese Kristalle können auch poliert oder mit einer einheitlichen epitaxialen Schicht versehen sein. Sind sie weiterbearbeitet (z. B. …

### Kapitel 38

1. Zu Kapitel 38 gehören nicht: a) isolierte chemisch einheitliche Elemente oder Verbindungen, ausgenommen die nachstehend aufgeführten: 1) künstlicher Grafit (Position 3801) (RV E3801A10); 2) Insektizide, Rodentizide, Fungizide, Herbizide, Keimhemmungsmittel und Pflanzenwuchsregulatoren, Desinfektionsmittel und ähnliche Erzeugnisse, in Formen oder Aufmachungen der in Position 3808 beschriebenen Art (RV E3801A20); 3) Feuerlöschmittel in Form von Ladungen für Feuerlöschgeräte oder von Feuerlöschgranaten oder Feuerlöschbomben (Position 3813) (RV E3801A30); 4) zertifizierte Referenzmateralien, gemäß nachstehender Anmerkung 2 (RV E3801A40); 5) die in der nachstehenden Anmerkung 3 a) oder 3 c) aufgeführten Erzeugnisse (RV E3801A50); b) Mischungen von chemischen Erzeugnissen und Lebensmitteln oder anderen Stoffen mit Nährwert, von der zum Zubereiten von Lebensmitteln für die menschliche Ernähr …

### Abschnitt VI

1. A) Erzeugnisse (ausgenommen radioaktive Erze), die der Warenbeschreibung der Position 2844 oder 2845 entsprechen, gehören zu diesen Positionen, auch wenn andere Positionen der Nomenklatur in Betracht kommen (RV C0601A00). B) Vorbehaltlich des Buchstabens A) gehören Erzeugnisse, die der Warenbeschreibung der Position 2843, 2846 oder 2852 entsprechen, zu diesen Positionen, auch wenn andere Positionen dieses Abschnitts in Betracht kommen (RV C0601B00). 2. Vorbehaltlich der Anmerkung 1 sind Waren, die wegen ihrer Dosierung oder wegen ihrer Aufmachung für den Einzelverkauf zu einer der Positionen 3004, 3005, 3006, 3212, 3303, 3304, 3305, 3306, 3307, 3506, 3707 oder 3808 gehören können, dieser Position zuzuweisen, auch wenn andere Positionen der Nomenklatur in Betracht kommen (RV C0602000). 3. …

## Subdivisions of this code

- 3818.00.90.00.0 andere

## Frequently asked questions

### What does customs tariff code 3818.00.90.00 cover?

Code 3818.00.90.00 covers Other. Classification turns on the material, function, and intended use of the goods, not on their trade name.

### What is the duty rate for 3818.00.90.00?

The third-country duty rate for 3818.00.90.00 is 0 %. Goods originating in a country with a preferential agreement may qualify for a lower rate against valid proof of origin.

### What is the HS code for 3818.00.90.00?

The first six digits form the HS code: 381800. Those are uniform worldwide, while the further digits carry the EU Combined Nomenclature and the national subdivision.

### How many digits does 3818.00.90.00 have?

3818.00.90.00 has ten digits and carries the EU measures held in TARIC. A German import declaration requires the eleven-digit commodity code.

### Where does 3818.00.90.00 sit in the tariff?

3818.00.90.00 sits in this hierarchy: 38 MISCELLANEOUS CHEMICAL PRODUCTS > 3818 Chemical elements doped for use in electronics, in the form of discs, wafers or similar forms; chemical compounds doped for use in electronics > 381800 Chemische Elemente, zur Verwendung in der Elektronik dotiert, in Scheiben, Plättchen oder ähnlichen Formen; chemische Verbindungen, zur Verwendung in der Elektronik dotiert > 38180090 Other. The parent headings and their notes help decide whether the classification holds.

### Is there binding tariff information for 3818.00.90.00?

Yes. The EBTI database holds decisions on 3818.00.90.00, for example DEBTI16059/21-1. A BTI shows which product characteristics the customs authority relied on.

### What happens if the customs tariff code is wrong?

An incorrect code leads to post-clearance recovery of duty and import VAT, delays at clearance, and a penalty where it repeats. A classification with documented reasoning can be defended in an audit.

### Is 3818.00.90.00 a dual-use item?

The customs code alone does not decide that. An indicative correlation links 3818.00.90.00 to 3B001j, 3C001, 3C006, 6C002, 6C004, 6C005, 3C001. Whether your item is listed depends on its technical parameters and has to be checked against the wording of the control list.

### Does customs tariff code 3818.00.90.00 change?

3818.00.90.00 is currently valid. The Combined Nomenclature is amended every 1 January, so master data should be checked against the current tariff annually.

Published by TC21 Ventures GmbH, Berlin. Derived from the Combined Nomenclature, TARIC, and the EBTI database. When citing, please link https://www.zolltarif-finder.de/en/customs-code/3818009000.