Zolltarifnummer 8541: Dioden, Transistoren und ähnliche Halbleiterbauelemente; lichtempfindliche…

Zu Unterposition 8541 40 90 (1): Hierher gehören fotovoltaische Zellen, die zu Modulen zusammengefasst oder zu Tafeln aufgemacht sind, mit ‚Bypass‘-Dioden (jedoch ohne Sperrdioden). Bei den ‚Bypass‘-Dioden handelt es sich nicht um Elemente, durch die der Strom direkt z.B. einem Motor zugeführt werden kann (siehe HS-Erläuterungen zu den Positionen 8501 und 8541 des HS). Zu Unterposition 8541 90 00: Neben den in den Erläuterungen zu Pos. 8541 des HS aufgeführten Teilen gehören z. B. hierher: 1. Halterungen und Gehäuse für piezoelektrische Kristalle; 2. Gehäuse aus Metall, Steatit usw., für montierte Halbleiter. Nicht hierher gehören z. B.: a) Stromzuführungen, die den Strom von den Kontaktstiften zu den Elektroden führen (Pos. 8536); b) Teile aus Grafit (Unterposition 8545 90 90). (1) Anmerkung: ab 1.1.2022 zutreffender KN-Code: 8541 43 00

Zu Unterposition 8541 21: Die Verlustleistung eines Transistors wird bestimmt, indem an das Bauelement die angegebene Betriebsspannung angelegt wird und die ständige Belastbarkeit bei einer Temperatur von 25 ºC gemessen wird. So beträgt z. B. die Verlustleistung bei einem Transistor, der eine Ladung von 0,2 Ampère dauernd bei einer angegebenen Betriebsspannung von 5 Volt mit einer Temperatur von 25 ºC aufrechterhalten kann, 1 Watt (Stromstärke x Spannung = Leistung). Für Transistoren mit einer Vorrichtung zur Wärmeableitung (z. B. Anschlusssockel, Metallgehäuse) ist die Referenztemperatur von 25 ºC die des Sockels oder des Gehäuses, während bei anderen Transistoren (z. B. mit einfachem Kunststoffgehäuse) die Raumtemperatur maßgebend ist.

Zu Unterposition 8541 29: 1. Insulated Gate Bipolar Transistor“ (IGBT) Modul (48 mm x 94 mm x 29 mm) mit zwei IGB-Transistoren in Chipform, in antiparalleler Schaltung mit zwei Dioden, die die Transistoren vor Schäden durch Rückstrom schützen, wenn die Transistoren ausgeschaltet werden, sowie mehreren Elektroden. Die vorstehenden Bauelemente sind durch Aluminiumdrähte elektrisch miteinander verbunden und in einem Kunststoffgehäuse eingebaut, das mit Silikongel zum Zweck der elektrischen Isolierung gefüllt ist. Funktionen des Produkts sind: Verstärkung, Oszillation, Frequenzumwandlung und Schalten von elektrischen Strömen. Das Produkt regelt Ströme und Spannungen in der Leistungselektronik und ist in der Lage hohe Ströme zu verarbeiten. Die Betriebsspannung beträgt 1.200 V und die Stromstärke 150 A. Es kann in verschiedenen Einsatzbereichen verwendet werden, wie z. B. …

Einzelentscheidungen zur Kombinierten Nomenklatur (EE) Durchführungsverordnung (EU) Nr. 1037/2014 der Kommission vom 25. September 2014 (ABl. EU Nr. L 287/9) (RV L 1037/14): 1. Eine Halbleiterkomponente (so genanntes „LED- Modul“), bestehend aus einem LED-Chip und einer parallel geschalteten Zener-Schutzdiode in einem Kunststoffgehäuse mit kuppelförmiger, transparenter Kunststoffabdeckung, mit Abmessungen von etwa 7 × 7 × 5 mm, ohne Anschlusspads. Die Komponente ist insofern untrennbar, als einige Bestandteile zwar theoretisch entfernt und ersetzt werden können, dies aber zeitaufwendig und schwierig ist und daher unter normalen Herstellungsbedingungen unwirtschaftlich wäre. Das LED-Modul ist so konzipiert, dass es auf Leiterplatten montiert werden kann, etwa durch Löttechniken zur Oberflächenmontage (SMD). …