Zolltarifnummer 8541.51.00: Dioden, halbleiterbasierte Transducer

Halbleiterbasierte Transducer in Form von braunen Chips, mit goldenen Elektroden und einem grauen Messbereich in der Mitte mit den Maßen 5 x 5 x 0,38 mm. Die Chips werden als Infrarotdetektor für Hintergrundmessungen bei der Fourier-Transform-Infrarotspektroskopie (NEMS-FT-IR) verwendet; aufgemacht einzeln verpackt in Steckkapselhüllen; kein Erzeugnis der Position HS 9027. (Angaben laut Unternehmen) (siehe Abbildungen)

Halbleiterbasierte Transducer in Form von braunen Proben- und Sensorchips mit goldenen Elektroden und einem grauen Messbereich in der Mitte mit den Maßen 5 x 5 x 0,38 mm für die Fourier-Transform-Infrarotspektroskopie (NEMS-FT-IR); diese Chips werden nach der Probenentnahme in ein Infrarotspektrometer gelegt, welches eine Infrarotstrahlung abgibt, die Veränderung zwischen dem Light Chip (nicht Gegenstand dieser VZTA) umrechnet, um dann ein aussagekräftiges Ergebnis zu liefern. Bei den Proben- und Sensorchips werden die Elektroden durch das Infrarotlicht angeregt und ein bestimmter Wert reflektiert; aufgemacht in einer schwarzen Kunststoffbox zu 49 Stück; kein Erzeugnis der Position HS 9027. (Angaben laut Unternehmen) (siehe Abbildungen)

Halbleiterbasierte Transducer in Form von braunen Proben- und Sensorchips mit goldenen Elektroden und einem grauen Messbereich in der Mitte mit den Maßen 5 x 5 x 0,38 mm für die Fourier-Transform-Infrarotspektroskopie (NEMS-FT-IR). Auf dem grauen Messbereich befinden sich Polystyrolpartikel, die ein sehr charakteristisches Infrarot-Absorptionsspektrum aufweisen. Dies wird genutzt, um Referenzmessungen durchzuführen. Dabei werden die Elektroden durch das Infrarotlicht angeregt und ein bestimmter Wert reflektiert; aufgemacht einzeln verpackt in Steckkapselhüllen; kein Erzeugnis der Position HS 9027. (Angaben laut Unternehmen) (siehe Abbildungen)

Bandpassfilter, - aus einer mittels Halbleitertechnologie auf einem Siliziumsubstrat aufgebrachten, mit Elektroden ausgestatteten piezoelektrischen Dünnschicht aus Aluminiumnitrid, in einem SMD-Gehäuse mit fünf elektrischen Anschlüssen, auf praktisch untrennbare Weise vereinigt, - als halbleiterbasierter Resonator zur Erzeugung von akustischen Wellen einer bestimmten Frequenz und dadurch zur Ausfilterung unerwünschter Frequenzen bestimmt. "Halbleiterbauelemente, nicht von den Unterpositionen (HS) 8541 10 - 8541 49 erfasst, halbleiterbasierter Transducer - Bandpassfilter"

Drucksensor (Abbildung siehe Anlage), - in Form eines piezoresistiven siliziumbasierenden Sensors, auf praktisch untrennbare Weise mit einer Diode sowie elektrischen Anschlüssen auf einem gemeinsamen Substrat verbunden, - als halbleiterbasierter Sensor zur Erfassung eines physikalischen Drucks mit anschließender Umwandlung in ein elektrisches Signal durch Ausnutzung des Piezoelektrischen-Effektes. "Halbleiterbauelement, nicht von den Unterpositionen (HS) 8541 10 - 8541 49 erfasst, halbleiterbasierter Transducer - Drucksensor "

FBAR-Filter (Abbildung siehe Anlage), - aus einer mittels Halbleitertechnologie auf einem Siliziumsubstrat aufgebrachten, mit Elektroden ausgestatteten piezoelektrischen Dünnschicht aus Aluminiumnitrid, in einem SMD-Gehäuse mit fünf elektrischen Anschlüssen (Abmessungen ca. 1,1 x 0,9 x 0,5 mm), - als halbleiterbasierter Resonator zur Erzeugung von akustischen Wellen einer bestimmten Frequenz und dadurch zur Ausfilterung unerwünschter Frequenzen (z.B. in Smartphones) bestimmt. "Halbleiterbauelemente, nicht von den Unterpositionen (HS) 8541 10 - 8541 49 erfasst, halbleiterbasierter Transducer - FBAR-Filter"

Piëzoresistieve druksensoren (op halfgeleiders gebaseerde omvormers) opgebouwd uit micro-elektromechanische systemen (MEMS) die in de massa of op het oppervlak van een halfgeleidermateriaal (silicium) tot stand zijn gebracht. Ze combineren bijgevolg kleine mechanische (het membraan) en elektronische (de Wheatstone-brugschakeling) componenten. Beide producten omvatten dies op folie gekleefd bevestigd op een wafer. Elke die meet 1,64 mm x 1,64 mm. Verder bestaan de druksensoren uit een piëzoresistieve Wheatstone-brugschakeling op een membraan. Wanneer er druk wordt uitgeoefend op één van de membranen van bovengenoemde sensoren, vervormen de membranen en treedt een verandering van de elektrische weerstand op. Die weerstandsverandering wordt omgezet in een uitgangssignaal waarbij de differentiële spanningsverandering waargenomen wordt door de Wheatstone-brugschakeling. Hiervoor wordt de Wheatstone-brugschakeling aan de brugingangen voorzien van een ‘bias voltage’ of voorspanning. Deze druksensoren zijn ontworpen voor het leveren van optimale prestaties bij het meten van een absolute druk van 0 tot 50 bar inzake product B en het meten van een absolute druk van 0 tot 30 bar inzake product A en worden aangewend zowel in automotive-toepassingen als diverse andere toepassingen (zoals consumentenelectronica of medische instrumenten).

Unfertiger IR-Emitter (Abbildung zeigt einzelnes Element in einem Gehäuse), - aus einer mehrschichtigen MEMS-Membran, auf einem Halbleitersubstrat aufgebaut, untrennbar mit elektrischen Kontaktflächen aus einer Aluminium-Silizium-Legierung vereinigt, - in Form eines halbleiterbasierten Aktuators, welcher elektrische Signale in physikalische Bewegung (Schwingungen) umwandelt, wodurch thermische Infrarotstrahlung emittiert wird, - 339 davon auf einem gemeinsamen Wafer, - nach Vereinzelung und Gehäusemontage zur Verwendung in NDIR-Spektrometern für die Gasanalyse bestimmt. "Halbleiterbauelement, nicht von den Unterpositionen (HS) 8541 10 - 8541 49 erfasst, halbleiterbasierter Transducer, unfertig - IR-Emitter"